NTE182 (NPN)
Silicon Complementary Transistors General Purpose Amplifier, Switch

See also >>> NTE183 (PNP)

Description:
The NTE182 (NPN) and NTE183 (PNP) are silicon transistors in a TO127 type case designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

Features:
- DC Current Gain Specified to 10A
- High Current Gain−Bandwidth Product: fT = 2MHz (Min) @ IC = 500mA

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO...................................................... 60V
Collector−Base Voltage, VCB........................................................ 70V
Emitter−Base Voltage, VEB...........................................................5V
Collector Current, IC................................................................ 10A
Base Current, IB.................................................................... 6A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD............................................ 90W
Derate Above 25°C...................................................... 0.72W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. −55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... −55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC.................................... 1.39°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.