NTE334 Silicon NPN Transistor RF Power Output

Formerly: ECG334

Silicon NPN Transistors RF Power Output

See also >>> NTE333

Description:
The NTE333 & NTE334 are designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30MHz.

Features:
- Specified 12.5 Volt, 30MHz Characteristics−
Output Power = 60 Watts
Minimum Gain = 13dB
Efficiency = 55%

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO...................................................... 18V
Collector−Emitter Voltage, VCES...................................................... 36V
Emitter−Base Voltage, VEBO.......................................................... 4V
Collector Current−Continuous, IC.....................................................15A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD...........................................175W
Derate Above 25°C.......................................................1.0W/°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... −65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC.....................................1.0°C/W

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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.