NTE366
Silicon NPN Transistor RF Power Output
PO = 25W @ 512MHz

Description:
The NTE366 is a silicon NPN transistor designed for 12.5 Volt UHF large-signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512MHz.

Features:
- Specified 12.5 Volt, 470MHz Characteristic:
Output Power = 25 Watts
Minimum Gain = 6.2dB
Efficiency = 60%
- Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
- Built-In Matching Network for Broadband Operation
- Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 20:1 VSWR @ 16-volt High Line and Overdrive

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 16V
Collector-Base Voltage, VCBO.......................................................36V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 4V
Collector Current-Continuous, IC...................................................... 4A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD...........................................103W
Derate above 25°C.....................................................590mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.....................................1.7°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.