NTE2347
Silicon NPN Transistor General Purpose, Medium Power

Description:
The NTE2347 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed for use in high current, fast switching applications and for power amplifiers.

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Base Voltage (IE = 0), VCBO...............................................150V
Collector-Emitter Voltage (IB = 0), VCEO...............................................80V
Emitter-Base Voltage (IC = 0), VEBO...................................................6V
Collector Current, IC.................................................................5A
Total Power Dissipation, Ptot
TA ≤ +25°C.................................................................. 1W
TC ≤ +25°C.................................................................. 7W
TC ≤ +100°C.................................................................4W
Junction Temperature, TJ.........................................................+200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.....................................25°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA.................................. 175°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.